مدل‌سازی پسماند مغناطیسی برداری-کامسول

این آموزش یک الگوی معیار است که روش بررسی الکترومغناطیسی آزمایشی (TEAM) مسألۀ 32 را بازتولید می‌کند؛ طرحی که روش‌های عددی را برای شبیه‌سازی پسماند مغناطیسی ناهمسانگرد ارزیابی می‌کند. یک هستۀ آهنی سه‌لایه هیسترتیک در معرض یک میدان مغناطیسی با زمان متغیر است که توسط دو سیم پیچ تولید می‌شود. از مدل مواد جیلز-آتورون (موجود در رابط میدان‌های مغناطیسی) برای شبیه‌سازی پاسخ مواد، تولیدمثل داده‌های تجربی و عددی منتشر شده استفاده می‌شود.

     سیم‌پیچ‌ها توسط منابع ولتاژ AC که نسبت به یکدیگر 90 درجه اختلاف فاز دارند، برانگیخته شده و یک میدان مغناطیسی ایجاد می‌کنند که در برخی از نواحی هسته می‌چرخد. میدان مغناطیسی به کار رفته عمدتا در صفحۀ xy قرار دارد؛ در حالی که این مادۀ ناهمسانگرد بوده و از این رو نسبت به میدان اعمالی در جهت x یا y واکنش متفاوتی نشان می‌دهد.

     برای شبیه‌سازی دقیق میدان وابسته به زمان، یک مدل پسماند مغناطیسی برداری لازم است و رفتار هیسترتیک با ترسیم چگالی شار مغناطیسی به عنوان تابعی از میدان مغناطیسی در طی یک چرخۀ AC (مربوط به یک حلقه پسماند مغناطیسی) نمایش داده می‌شود. یک حل‌کنندۀ مستقیم (PARDISO) به جای حل‌کنندۀ تکراری پیش فرض -که در آن از مختصۀ تنظیم پیمانه برای میدان A استفاده شده- به کار گرفته می‌شود.