شبیه سازی یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET)-کامسول
4 مهر 1401
ارسال شده توسط admin2
879 بازدید
(Simulation of an Ion-sensitive Field-effect Transistor (ISFET
یک ترانزیستور با تأثیر میدان حساس به یون (ISFET) با جایگزین کردن تماس دروازه MOSFET با الکترولیت مورد علاقه ساخته میشود. غلظت یک گونۀ یونی خاص در الکترولیت را میتوان با اندازهگیری تغییر در ولتاژ دروازه به دلیل تعامل بین یونها و دیالکتریک درگاه تعیین کرد.
این آموزش سنسور pH ISFET روشی را برای برقراری اتصال بین مدل نیمههادی و مدل الکترولیت نشان میدهد. همچنین تکنیک استفاده از یک معادلۀ سراسری ساده برای استخراج پارامترهای عملیاتی را نشان میدهد، بدون اینکه نیازی به مدلسازی دقیق مدار بازخورد واقعی باشد.
ماژولهای استفاده شده
ماژولهای استفاده شده
- COMSOL Multiphysics® and
- Semiconductor Module and
- Batteries & Fuel Cells Module, Chemical Reaction Engineering Module, Corrosion Module, Electrochemistry Module, Electrodeposition Module, or Microfluidics Module
راهنمای دانلود:
- لینک دانلود به صورت پارت های 1 گیگابایتی در فایل های ZIP ارائه شده است.
- در صورتی که به هر دلیل موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید به ما اطلاع دهید.
دانلود فایل
پسورد فایل : پسورد ندارد گزارش خرابی لینک
محل نمایش فرم گزارش مشکل دانلود شما.
دیدگاهتان را بنویسید