آموزش شیمی سطح با استفاده از ماژول پلاسما-کامسول

شیمی سطح اغلب یک جنبۀ نادیده گرفته‌شده از واکنش مدل‌سازی جریان است. این مدل آموزشی نشان می‌دهد که چگونه واکنش‌های سطحی و گونه‌ها را می‌توان به مطالعۀ فرایندهایی مانند رسوب شیمیایی بخار(CVD)  اضافه کرد. سپس این آموزش رشد سیلیکون را روی یک قرص مدل‌سازی می‌کند.

     در ابتدا، این مثال از یک مدل سراسری برای بررسی منطقۀ وسیعی از پارامترها با شیمی پیچیده استفاده می‌کند. سپس، یک مدل وابسته به فضا تنظیم و اجرا می‌شود. با توجه به توازن انبوه کلی در سیستم، توجه دقیق می‌شود و تفاوت بین سرعت متوسط جرم و سرعت انتشار بررسی شده است. این مدل نشان می‌دهد که کل غلظت جرم و مولی در سیستم حفظ می‌شود. سرانجام، ارتفاع سیلیکون ذخیره‌شده به عنوان تابعی از زمان مورد مطالعه قرار می‌گیرد.