تحرک سطح لومباردی-کامسول

فونون‌های صوتی سطحی و زبری سطح تأثیر مهمی بر تحرک حامل دارد، خصوصاً در لایۀ وارونگی نازک زیر دروازه در MOSFETها. مدل تحرک سطح لومباردی پراکندگی سطح ناشی از این اثرات را به یک مدل تحرک موجود با استفاده از قانون ماتیسن اضافه می‌کند.

     این مدل نحوۀ استفاده از مدل تحرک سطح لومباردی را برای تحرک الکترون در یک MOSFET ساده نشان می‌دهد. مشخصات چگالی جریان و کل جریان ورودی به پایانه با مورد تحرک ثابت مقایسه می‌شود.